На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники.
По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения [4].
Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов.
При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов.
И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения [7 – 18].
Основные методы получения
PbSe
Таблица 1.2.
Методы
|
Технологические параметры |
Свойства кристалла |
Примечания |
|
Методом Бриджмена — Стокбаргера |
Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч. Температура процесса 1090 0C Температурный градиент 90 0C Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца. |
D = 1,25 см, l = 6 см. сMAX = 1018 см-3 Плотность дислокаций 107 см-2 и большое. |
[1] |
|
Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем. |
Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч. |
Плотность дислокаций 104 - 105 см-2. |
[1] |
|
Метод Чохральского |
Скорость роста 1 – 10 мм/ час Атмосфера инертного газа. Давление 0,5 МПа Под флюсом B2O3 Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца |
D = 3 см, l = 15 см. ρ = 2 Ом·см |
[1,20] |
|
Выращивание из газовой фазы. |
температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3° |
8x5x3 мм с = 5·1018 см-3 сmin = 1016 см-3 при 77 К Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек. Плотности дислокаций 1·106 см-2 |
[1,20] |
Усилитель мощности звуковой частоты для автомагнитолы
В настоящее время в технике повсеместно используются
разнообразные усилительные устройства. Куда мы не посмотрим - усилители повсюду
окружают нас. В каждом радиоприёмнике, в каждом телев ...
Цифровой термометр на микропроцессоре AVR-MEGA 128
Микроконтроллеры (МК) являються серцем
многих современных устройств и приборов. Самой главной особенностью МК, с точки
зрения конструктора-проектировщика, является то, что с их помощ ...
Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем
Технология
изготовления интегральных микросхем представляет собой совокупность
механических, физических, химических способов обработки различных материалов
(полупроводников, диэлек ...
Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru