На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники.
По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения [4].
Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов.
При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов.
И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения [7 – 18].
Основные методы получения
PbSe
Таблица 1.2.
Методы
|
Технологические параметры |
Свойства кристалла |
Примечания |
|
Методом Бриджмена — Стокбаргера |
Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч. Температура процесса 1090 0C Температурный градиент 90 0C Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца. |
D = 1,25 см, l = 6 см. сMAX = 1018 см-3 Плотность дислокаций 107 см-2 и большое. |
[1] |
|
Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем. |
Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч. |
Плотность дислокаций 104 - 105 см-2. |
[1] |
|
Метод Чохральского |
Скорость роста 1 – 10 мм/ час Атмосфера инертного газа. Давление 0,5 МПа Под флюсом B2O3 Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца |
D = 3 см, l = 15 см. ρ = 2 Ом·см |
[1,20] |
|
Выращивание из газовой фазы. |
температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3° |
8x5x3 мм с = 5·1018 см-3 сmin = 1016 см-3 при 77 К Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек. Плотности дислокаций 1·106 см-2 |
[1,20] |
Разработка и проектирование спирального антенного устройства
Неотъемлемыми
составными частями современных радиотехнических средств являются антенные системы
и обслуживающие их тракты СВЧ.
Основной
целью изучения дисциплины “Антенны и у ...
Ультразвуковые приборы
Сегодня для диагностики травматических повреждений костно-мышечной
системы в большинстве медицинских учреждений первым инструментальным методом
диагностики является рентгеновское исследо ...
Тонкопленочные резисторы
Зарождение и развитие микроэлектроники как
нового научно-технического направления, обеспечивающего создание сложной радиоэлектронной
аппаратуры (РЭА), непосредственно связаны с кризисной ...
Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru