Технология получения монокристаллического InSb p-типа

На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники.

По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения [4].

Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов.

При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов.

И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения [7 – 18].

Основные методы получения

PbSe

Таблица 1.2.

Методы

Технологические параметры

Свойства кристалла

Примечания

Методом Бриджмена — Стокбаргера

Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч.

Температура процесса 1090 0C

Температурный градиент 90 0C

Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца.

D = 1,25 см, l = 6 см.

сMAX = 1018 см-3

Плотность дислокаций 107 см-2 и большое.

[1]

Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем.

Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч.

Плотность дислокаций 104 - 105 см-2.

[1]

Метод Чохральского

Скорость роста 1 – 10 мм/ час

Атмосфера инертного газа.

Давление 0,5 МПа

Под флюсом B2O3

Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца

D = 3 см, l = 15 см.

ρ = 2 Ом·см

[1,20]

Выращивание из газовой фазы.

температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3°

8x5x3 мм

с = 5·1018 см-3

сmin = 1016 см-3 при 77 К

Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек.

Плотности дислокаций 1·106 см-2

[1,20]

Прочтите также:

Исследование алгоритмов скремблирования данных
Нaблюдaемое в последнее время прогрессирующее влияние информaционных технологий прaктически на все сферы жизнедеятельности человечества вызывает поступательный рост требований к т ...

Разработка усилителя мощности
Усилителем мощности (УМ) называют усилитель, который обеспечивает заданную мощность в нагрузке, сопротивление которой, как правило, мало. Обычно в таких усилителях амплитуды выходного то ...

Структурная схема выпрямителя
Для многих современных электронных устройств необходима энергия постоянного тока. Источниками постоянного тока могут служить гальванические элементы, аккумуляторы, генераторы постоянного ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2022 www.techmatch.ru