Технология получения монокристаллического InSb p-типа

На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники.

По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения [4].

Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов.

При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов.

И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения [7 – 18].

Основные методы получения

PbSe

Таблица 1.2.

Методы

Технологические параметры

Свойства кристалла

Примечания

Методом Бриджмена — Стокбаргера

Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч.

Температура процесса 1090 0C

Температурный градиент 90 0C

Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца.

D = 1,25 см, l = 6 см.

сMAX = 1018 см-3

Плотность дислокаций 107 см-2 и большое.

[1]

Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем.

Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч.

Плотность дислокаций 104 - 105 см-2.

[1]

Метод Чохральского

Скорость роста 1 – 10 мм/ час

Атмосфера инертного газа.

Давление 0,5 МПа

Под флюсом B2O3

Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца

D = 3 см, l = 15 см.

ρ = 2 Ом·см

[1,20]

Выращивание из газовой фазы.

температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3°

8x5x3 мм

с = 5·1018 см-3

сmin = 1016 см-3 при 77 К

Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек.

Плотности дислокаций 1·106 см-2

[1,20]

Прочтите также:

Модернизация электронного термометра
Объектом исследования на первом этапе является электронный термометр для систем автоматического контроля и управления (Рис 1) Рис.1. Схема электронного термометра ТД - ...

Моделирование полотна АФАР моноимпульсной БРЛС
Данная работа направлена на моделирование полотна активной фазированной антенной решетки (АФАР) и оценки параметров её работы в составе бортовой радиолокационной станции. Фазированные ...

Расчет силовой следящей автоматической системы регулирования
В настоящее время в приборостроении применяется десятки тысяч различных типов систем автоматического регулирования (САР), которые обеспечивают высокую эффективность производственных проц ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru