Модели полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным процессам (генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, явление пробоя) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнической модели диода для программы PSPICE в режиме работы на постоянном токе (DC режим).

Исходные данные:

ü п/п – Ge

ü NЭ = 1×1018 см-3; NБ = 2×1015 см-3.

ü LБ = 10мин; LЭ = 2мин; W = 500мин; H = 200мин.

ü Sзахв = 2×10-16 см-2.

ü Переход p-n.

Часть №1

Uобр = -50В; Т = 300°К

Концентрационные зависимости подвижностей основных и неосновных носителей:

Эмиттер (Р)

База (n)

N/5

N

5N

N/5

N

5N

Конц. см-3

2×1017

1×1018

5×1018

Конц. см-3

4×1014

2×1015

1×1016

mосн см2/В×с

700

380

160

mосн см2/В×с

4500

4100

3800

mнеосн см2/В×с

2700

2000

1200

mнеосн см2/В×с

2000

1900

1500

Прочтите также:

Управление смарт-картами с применением персонального компьютера
Смарт-карты в наше время нашли широкое применение в метро, таксофонах, банках, в секретных объектах, в программах для ПК где нужен физический ключ для её запуска. Так как смарт-карты ...

Моделирование автоклава с ПИД-регулятором
Современный этап развития автоматизации технологических процессов характеризуется усложнением задач автоматического регулирования и управления, значительным увеличением числа регулируем ...

Запись звука к кинофильму формата 35 мм с записью звука на жесткий диск
Целью данной курсовой работы является передача звуковой информации с помощью технических средств - в данном случае жесткого диска. Для того чтобы процесс зрительного восприятия б ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru