Модели полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным процессам (генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, явление пробоя) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнической модели диода для программы PSPICE в режиме работы на постоянном токе (DC режим).

Исходные данные:

ü п/п – Ge

ü NЭ = 1×1018 см-3; NБ = 2×1015 см-3.

ü LБ = 10мин; LЭ = 2мин; W = 500мин; H = 200мин.

ü Sзахв = 2×10-16 см-2.

ü Переход p-n.

Часть №1

Uобр = -50В; Т = 300°К

Концентрационные зависимости подвижностей основных и неосновных носителей:

Эмиттер (Р)

База (n)

N/5

N

5N

N/5

N

5N

Конц. см-3

2×1017

1×1018

5×1018

Конц. см-3

4×1014

2×1015

1×1016

mосн см2/В×с

700

380

160

mосн см2/В×с

4500

4100

3800

mнеосн см2/В×с

2700

2000

1200

mнеосн см2/В×с

2000

1900

1500

Прочтите также:

Этапы проектирования электронных систем
Проектное решение - промежуточное описание проектируемого объекта, полученное на том или ином иерархическом уровне, как результат выполнения процедуры (соответствующего уровня). ...

Модернизация телефонной сети Аккольского района Акмолинской области
Принято считать, что развитие телефонной связи в мире началось в 1876 году, который был отмечен получением Александром Грэхемом Беллом патента на изобретение электромагнитного телефона. ...

Усилитель воспроизведения электропроигрывателя
В данной курсовой работе проектируется усилитель воспроизведения электропроигрывателя. Усилитель воспроизведения электропроигрывателя предназначен для усиления и частотной коррекции сигн ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru