Модели полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным процессам (генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, явление пробоя) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнической модели диода для программы PSPICE в режиме работы на постоянном токе (DC режим).

Исходные данные:

ü п/п – Ge

ü NЭ = 1×1018 см-3; NБ = 2×1015 см-3.

ü LБ = 10мин; LЭ = 2мин; W = 500мин; H = 200мин.

ü Sзахв = 2×10-16 см-2.

ü Переход p-n.

Часть №1

Uобр = -50В; Т = 300°К

Концентрационные зависимости подвижностей основных и неосновных носителей:

Эмиттер (Р)

База (n)

N/5

N

5N

N/5

N

5N

Конц. см-3

2×1017

1×1018

5×1018

Конц. см-3

4×1014

2×1015

1×1016

mосн см2/В×с

700

380

160

mосн см2/В×с

4500

4100

3800

mнеосн см2/В×с

2700

2000

1200

mнеосн см2/В×с

2000

1900

1500

Прочтите также:

Розробка термореле
Термодатчики повсюдно використовуються в різних областях електроніки. Це термометри, пожежні датчики сигналізації, моніторинг температури електронної апаратури - підсилювачі, джерела жи ...

Разработка электрической структурной, функциональной, принципиальной схем учебного комплекса по интерфейсам ввода-вывода
микросхема учебный комплекс интерфейс Интенсивное развитие микропроцессорной техники обуславливает расширение области применения средств автоматизации управления. В настоящее время микро ...

Технологические процессы микросборки плат
В 1946 году заводу № 197 поручается модернизация РЛС П-3, для чего создаётся специальная лаборатория под руководством Е. В. Бухвалова. Официальной датой основания предприятия считается ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru