Технические требования к технологическим процессам напыления

1 Величина удельного поверхностного сопротивления резистивных слоёв должна соответствовать конструкторской документации и РД 107.460084.200.

2 Слои, получаемые по технологическим процессам, основные данные которых приведены в таблицах 3и 4, должны быть без царапин, вздутий, отслоений и трещин. Допускаются дефекты, обусловленные дефектами поверхности подложки, разрешёнными техническими условиями на подложке.

3 Отжиг испарителей производить непосредственно перед поведением операции напыления.

4 Платы с напылёнными слоями можно хранить в эксикаторе с силикагелем не более трёх сутиок или не более сорока суток с момента напыления в шкафу с защитной средой.

5 Толщина адгезионного подслоя должна быть от 0,03 до 0,08 мкм.

6 Толщина напылённого слоя меди на лицевой стороне подложки должна быть от 0,00 до 0,00 мкм.

7 При проведении технологических операций, подложки следует брать пинцетом на расстоянии не более двух ипллметров от края.

Таблица 3 - Данные по технологическим процессам напыления резистивных слоёв

Напыляемый материал

Метод напыления

Режимы напыления

Температура прогрева подложек до напыления, (ºС)

Предварительный вакуум до нагрева, (мм.рт.ст.).

Давление в камере при напылении, (мм.рт.ст.).

Время напыления на заслонку, (мин).

Скорость вращения барабана (карусели), (об/мин).

Температура стабилизации резистивного слоя, (ºС)

Время стабилизации резистивного слоя, (мин)

Температура подложки при разгерметизации камеры, (ºС)

РС-3710

Ионно-плазменный

190-210

2·10-5

(4,5-7,5)·10-4

10-15

50-100

190-200

15

75-85

РС-3710

Термический

300-320

5·10-5

до 5·10-5

0,25

50-100

300-320

15

300-320

Хром

Термический

290-310

5·10-5

до 5·10-5

0,25

50-100

290-310

15

75-85

Нихром

Термический

290-310

5·10-5

до 5·10-5

0,25

50-100

290-310

15

75-85

МНКБ

Ионно-плазменный

190-210

2·10-5

(4,5-7,5)·10-4

15

50-100

190-210

15

75-85

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Технология получения монокристаллического InSb p-типа
На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронно ...

Определение оптимальных в соответствии с заданными критериями характеристик корректирующего кода и разработка кодирующего устройства выбранного кода
Территориальная распределенность объектов специального назначения, телекоммуникационных сетей общего пользования требует решения задач по их охране [4]. Однако использование для этих цел ...

Термостабилизированный логарифмический усилитель
В данной работе описан логарифмический усилитель с температурной стабилизацией. В таких приборах наибольший динамический диапазон входных токов может быть достигнут использованием трансд ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru