Тепловой расчет кабеля

При изготовлении оптического модуля без превышения длины ОВ над длиной ТЗО и его последующих испытаниях вне кабеля приращение длины ОВ составит [1]:

где Т0 - температура, при которой начальная избыточная длина условно равняется 0˚С;

Т - температура окружающей среды при испытаниях ОМ, ˚С;

- температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) материала ТЗО, (для ПБТ = 1.3 1/˚С) [1];

-ТКЛР ОВ, (для ОВ принимаем его равным )

Таким образом, при нагревании ОМ до Т = +60 ˚С оптическое волокно получит приращение:

Знак минус свидетельствует о том, что оптическое волокно, не имеющее начальной избыточной длины, натянется, и при этом получит удлинение 0,324%. Сила натяжения ОВ составит:

Н

Из этого следует, что для предотвращения этого необходимо либо создать начальную избыточную длину ОВ в ТЗО, равную 0,453%, либо в конструкции ОК иметь элементы, сдерживающие удлинение ТЗО, причем ТКЛР таких элементов должен быть равным ТКЛР кварца.

При охлаждении ОМ до Т = -40˚С ОВ получит приращение:

.

Это значит, что ОВ уменьшит размеры меньше, чем ТЗО, а значит, получит дополнительные макроизгибы, приводящие к росту затухания.

Из этого следует, что в конструкции должны быть элементы, сдерживающие осевое сжатие ТЗО.

Анализируя величины приращения приходим к выводу, что воздействие отрицательных температур на ОМ, а значит на ОК в целом является более критичным, т.к. зависимость затухания ОВ от микро- и макроизгибов сильнее, чем от продольного растяжения.

Прочтите также:

Модели полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным про ...

Технология получения монокристаллического InSb p-типа
На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронно ...

Разработка генератора последовательности двоичных слов
Развитие вычислительной техники базируется на совершенствовании программных средств и разработке новых схемно-технологических принципов построения элементной базы цифровых микроэлек ...