Ионно-плазменное напыление (катодное напыление)

Упрощённая схема катодного напыления представлена на рис. 7.

В отличие от термического метода здесь отсутствует испаритель, его функцию выполняет катод 5, который либо состоит из напыляемого материала, либо электрически контактирует с ним. Роль анода играет подложка с держателем 3 и 4.

Пространство под колпаком сначала откачивают до 10-5÷10-6 мм рт. ст. Затем через штуцер 6 вводят некоторое количество очищенного нейтрального газа (чаще всего аргона) так, что создаётся давление порядка 10-1÷10-2 мм рт. ст.

При подаче высокого напряжения на катод (анод в целях электробезопасности заземляется), порядка (2-3)kV, в пространстве "анод-катод" возникает аномальный тлеющий разряд, который сопровождается образованием квазинейтральной электронно-ионной плазмы.

Для получения оптимальных условий распыления подбирают соответствующее соотношение между тремя величинами: расстоянием между катодом и анодом, приложенным напряжением и давлением газа.

Важнейшим преимуществом катодного распыления, по сравнению с термическим, является то, что распыление не связано с высокой температурой и следовательно отпадают трудности с напылением тугоплавких материалов и химических соединений. К тому же при катодном напылении можно получить плёнки с улучшенными адгезионными свойствами, с постоянным химическим составом, а также с более равномерной толщиной.

Основными недостатками катодного напыления являются: сложность контроля и управления процессом напыления, низкая скорость роста плёнок, некоторая загрязнённость плёнок молекулами газов.

Кроме катодного распыления к ионно-плазменному напылению относится метод, где используются специальные мишени, которые бомбардируются ионами плазмы газового разряда [2].

Прочтите также:

Усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн
Лампы бегущей волны продолжают оставаться одним из важнейших комплектующих элементов, определяющих технический уровень радиолокационно-связных систем. Этот тип ЭВП обладает превосходным ...

Цифровой дозиметр
Радиоактивность - это способность некоторых природных элементов (радия, урана, тория и др.), а также искусственных радиоактивных изотопов самопроизвольно распадаться, испуская при этом ...

Тонкопленочные резисторы
Зарождение и развитие микроэлектроники как нового научно-технического направления, обеспечивающего создание сложной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), непосредственно связаны с кризисной ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2020 www.techmatch.ru