Электрохимическое и химическое нанесение плёнок

В технологии получения плёнок используются наряду с вакуумными методами и электрохимические, химические методы. В основу этих методов положены химические реакции, протекающие в водных растворах солей металлов в условиях приложенного электрического поля (или без него). В результате взаимодействия продуктов реакции с подложкой образуется плёнка.

В тонкоплёночной технологии электроосаждение применяют для изготовления многослойных металлических масок, повышения проводимости внутрисхемных соединений, золочения корпусов, для получения тонких магнитных плёнок, используемых в качестве элементов памяти.

Электрохимическое осаждение не является альтернативой вакуумным напылениям, а дополняет и сочетается с ними.

Более подробно с изложенными методами нанесения тонких плёнок можно ознакомиться в литературе [2].

Задание на курсовую работу: "Разработка топологии гибридной тонкоплёночной ИМС"

1) Получить исходную принципиальную схему. (выдаётся преподавателем)

) Преобразовать исходную принципиальную схему в соответствии с требованиями конструирования ИМС.

) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных резисторов.

) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных конденсаторов.

) Составить эскиз топологии гибридной тонкоплёночной ИМС (в масштабе 20:1 или 10:1) в соответствии с заданной исходной электрической принципиальной схемой.

10. Методические указания к выполнению курсовой работы

На первом этапе работы необходимо преобразовать заданную принципиальную электрическую схему таким образом, чтобы все внешние выводы располагались на краю длинных сторон подложки и были исключены пересечения плёночных проводников.

К расчёту плёночных резисторов.

Расчёт и выбор конфигурации плёночных резисторов необходимо начинать с расчёта оптимального значения удельного поверхностного сопротивления плёнки. Исходя из полученного значения выбрать материал с близким значением удельного поверхностного сопротивления из таблица 1. Далее вести расчёт и проектирование резисторов по рекомендациям, указанным в главе 2.

К расчёту плёночных конденсаторов.

При выборе материала диэлектрика необходимо учитывать технологическое требование: технология нанесения тонкоплёночных резисторов и конденсаторов должна быть одинакова. Расчёт конденсаторов указан в главе 3. Материал диэлектрика выбирать из таблицы 2.

К выбору подложки.

После расчёта и выбора конфигурации пассивных элементов, определяется общая площадь всех элементов схемы, учитывая также площади, занимаемые навесными элементами. Затем выбирается тип подложки из таблицы 3.

К составлению эскиза топологической схемы.

) Эскиз топологической схемы выполняется на миллиметровой бумаге, согласно выбранному масштабу.

) Пассивные элементы располагаются на расстоянии не менее 1 mm от края.

) Выходные контактные площадки располагаются вдоль длинной стороны подложки на расстоянии не менее 1 mm от края.

) При составлении эскиза необходимо учитывать следующие ограничения, накладываемые тонкоплёночной технологией: - навесные элементы устанавливаются в специально отведённые места на расстоянии не менее 0,5 mm от плёночных элементов и не менее 0,6 mm от контактной площадки; расстояние между навесными элементами выбирается порядка 0,3 mm; длина проволочных выводов навесных элементов должна быть в пределах: (0,6 ÷ 5)mm;

минимально допустимое расстояние между плёночными элементами (в том числе и контактными площадками) составляет 0,2 mm;

минимальная длина резистора не должна быть меньше 0,5 mm;

минимальная ширина плёночных резисторов составляет 0,2 mm (при масочном методе), 0,1 mm (при фотолитографии);

для тонкоплёночных конденсаторов рекомендуется чтобы: нижняя обкладка выступала за край верхней не менее чем на 0,2 mm; диэлектрик выступал за край нижней обкладки не менее чем на 0,1 mm.

минимально допустимые размеры контактных площадок для навесных элементов составляют 0,4х0,4 mm (для припайки элементов) и 0,2х0,25 mm (для приварки элементов).

Примечания:

) В курсовой работе навесными элементами являются бескорпусные транзисторы и операционные усилители. Обозначения и структуры этих элементов показаны на рис. 8.

) На схемах все размеры указаны в миллиметрах.

Прочтите также:

Разработка генератора последовательности двоичных слов
Развитие вычислительной техники базируется на совершенствовании программных средств и разработке новых схемно-технологических принципов построения элементной базы цифровых микроэлек ...

Уравнение стационарного режима автогенератора и его анализ
Теория и техника генерирования гармонических высокочастотных колебаний в нынешнем виде сложилась не сразу. Она подготовлена усилиями ученых и инженеров всех стран мира и прошла в ...

Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах
Номинальная выходная мощность, Вт на нагрузке сопротивлением 8 Ом.………………35 Номинальный диапазон частот, Гц при неравномерности АЧХ не более 0,5 дБ……………………. 20 - 2000 Коэ ...