Электрохимическое и химическое нанесение плёнок

В технологии получения плёнок используются наряду с вакуумными методами и электрохимические, химические методы. В основу этих методов положены химические реакции, протекающие в водных растворах солей металлов в условиях приложенного электрического поля (или без него). В результате взаимодействия продуктов реакции с подложкой образуется плёнка.

В тонкоплёночной технологии электроосаждение применяют для изготовления многослойных металлических масок, повышения проводимости внутрисхемных соединений, золочения корпусов, для получения тонких магнитных плёнок, используемых в качестве элементов памяти.

Электрохимическое осаждение не является альтернативой вакуумным напылениям, а дополняет и сочетается с ними.

Более подробно с изложенными методами нанесения тонких плёнок можно ознакомиться в литературе [2].

Задание на курсовую работу: "Разработка топологии гибридной тонкоплёночной ИМС"

1) Получить исходную принципиальную схему. (выдаётся преподавателем)

) Преобразовать исходную принципиальную схему в соответствии с требованиями конструирования ИМС.

) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных резисторов.

) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных конденсаторов.

) Составить эскиз топологии гибридной тонкоплёночной ИМС (в масштабе 20:1 или 10:1) в соответствии с заданной исходной электрической принципиальной схемой.

10. Методические указания к выполнению курсовой работы

На первом этапе работы необходимо преобразовать заданную принципиальную электрическую схему таким образом, чтобы все внешние выводы располагались на краю длинных сторон подложки и были исключены пересечения плёночных проводников.

К расчёту плёночных резисторов.

Расчёт и выбор конфигурации плёночных резисторов необходимо начинать с расчёта оптимального значения удельного поверхностного сопротивления плёнки. Исходя из полученного значения выбрать материал с близким значением удельного поверхностного сопротивления из таблица 1. Далее вести расчёт и проектирование резисторов по рекомендациям, указанным в главе 2.

К расчёту плёночных конденсаторов.

При выборе материала диэлектрика необходимо учитывать технологическое требование: технология нанесения тонкоплёночных резисторов и конденсаторов должна быть одинакова. Расчёт конденсаторов указан в главе 3. Материал диэлектрика выбирать из таблицы 2.

К выбору подложки.

После расчёта и выбора конфигурации пассивных элементов, определяется общая площадь всех элементов схемы, учитывая также площади, занимаемые навесными элементами. Затем выбирается тип подложки из таблицы 3.

К составлению эскиза топологической схемы.

) Эскиз топологической схемы выполняется на миллиметровой бумаге, согласно выбранному масштабу.

) Пассивные элементы располагаются на расстоянии не менее 1 mm от края.

) Выходные контактные площадки располагаются вдоль длинной стороны подложки на расстоянии не менее 1 mm от края.

) При составлении эскиза необходимо учитывать следующие ограничения, накладываемые тонкоплёночной технологией: - навесные элементы устанавливаются в специально отведённые места на расстоянии не менее 0,5 mm от плёночных элементов и не менее 0,6 mm от контактной площадки; расстояние между навесными элементами выбирается порядка 0,3 mm; длина проволочных выводов навесных элементов должна быть в пределах: (0,6 ÷ 5)mm;

минимально допустимое расстояние между плёночными элементами (в том числе и контактными площадками) составляет 0,2 mm;

минимальная длина резистора не должна быть меньше 0,5 mm;

минимальная ширина плёночных резисторов составляет 0,2 mm (при масочном методе), 0,1 mm (при фотолитографии);

для тонкоплёночных конденсаторов рекомендуется чтобы: нижняя обкладка выступала за край верхней не менее чем на 0,2 mm; диэлектрик выступал за край нижней обкладки не менее чем на 0,1 mm.

минимально допустимые размеры контактных площадок для навесных элементов составляют 0,4х0,4 mm (для припайки элементов) и 0,2х0,25 mm (для приварки элементов).

Примечания:

) В курсовой работе навесными элементами являются бескорпусные транзисторы и операционные усилители. Обозначения и структуры этих элементов показаны на рис. 8.

) На схемах все размеры указаны в миллиметрах.

Прочтите также:

Управление ошибками при передаче информации по каналам связи
Исходные данные для расчета: – тип канала связи: радиоэфир (спутниковая связь), (м/с); – длина канала связи (м); – ско ...

Фотоприемники на основе твердого раствора кадмий-ртуть-телур (КРТ)
В настоящее время тем, кто более-менее знаком с полупроводниковыми технологиями, сочетание букв КРТ – не пустой звук, а довольно обширная тема. Твердые растворы на основе КРТ доказали на ...

Структурная схема выпрямителя
Для многих современных электронных устройств необходима энергия постоянного тока. Источниками постоянного тока могут служить гальванические элементы, аккумуляторы, генераторы постоянного ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2022 www.techmatch.ru