В технологии получения плёнок используются наряду с вакуумными методами и электрохимические, химические методы. В основу этих методов положены химические реакции, протекающие в водных растворах солей металлов в условиях приложенного электрического поля (или без него). В результате взаимодействия продуктов реакции с подложкой образуется плёнка.
В тонкоплёночной технологии электроосаждение применяют для изготовления многослойных металлических масок, повышения проводимости внутрисхемных соединений, золочения корпусов, для получения тонких магнитных плёнок, используемых в качестве элементов памяти.
Электрохимическое осаждение не является альтернативой вакуумным напылениям, а дополняет и сочетается с ними.
Более подробно с изложенными методами нанесения тонких плёнок можно ознакомиться в литературе [2].
Задание на курсовую работу: "Разработка топологии гибридной тонкоплёночной ИМС"
1) Получить исходную принципиальную схему. (выдаётся преподавателем)
) Преобразовать исходную принципиальную схему в соответствии с требованиями конструирования ИМС.
) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных резисторов.
) Рассчитать топологическую структуру тонкоплёночных конденсаторов.
) Составить эскиз топологии гибридной тонкоплёночной ИМС (в масштабе 20:1 или 10:1) в соответствии с заданной исходной электрической принципиальной схемой.
10. Методические указания к выполнению курсовой работы
На первом этапе работы необходимо преобразовать заданную принципиальную электрическую схему таким образом, чтобы все внешние выводы располагались на краю длинных сторон подложки и были исключены пересечения плёночных проводников.
К расчёту плёночных резисторов.
Расчёт и выбор конфигурации плёночных резисторов необходимо начинать с расчёта оптимального значения удельного поверхностного сопротивления плёнки. Исходя из полученного значения выбрать материал с близким значением удельного поверхностного сопротивления из таблица 1. Далее вести расчёт и проектирование резисторов по рекомендациям, указанным в главе 2.
К расчёту плёночных конденсаторов.
При выборе материала диэлектрика необходимо учитывать технологическое требование: технология нанесения тонкоплёночных резисторов и конденсаторов должна быть одинакова. Расчёт конденсаторов указан в главе 3. Материал диэлектрика выбирать из таблицы 2.
К выбору подложки.
После расчёта и выбора конфигурации пассивных элементов, определяется общая площадь всех элементов схемы, учитывая также площади, занимаемые навесными элементами. Затем выбирается тип подложки из таблицы 3.
К составлению эскиза топологической схемы.
) Эскиз топологической схемы выполняется на миллиметровой бумаге, согласно выбранному масштабу.
) Пассивные элементы располагаются на расстоянии не менее 1 mm от края.
) Выходные контактные площадки располагаются вдоль длинной стороны подложки на расстоянии не менее 1 mm от края.
) При составлении эскиза необходимо учитывать следующие ограничения, накладываемые тонкоплёночной технологией: - навесные элементы устанавливаются в специально отведённые места на расстоянии не менее 0,5 mm от плёночных элементов и не менее 0,6 mm от контактной площадки; расстояние между навесными элементами выбирается порядка 0,3 mm; длина проволочных выводов навесных элементов должна быть в пределах: (0,6 ÷ 5)mm;
минимально допустимое расстояние между плёночными элементами (в том числе и контактными площадками) составляет 0,2 mm;
минимальная длина резистора не должна быть меньше 0,5 mm;
минимальная ширина плёночных резисторов составляет 0,2 mm (при масочном методе), 0,1 mm (при фотолитографии);
для тонкоплёночных конденсаторов рекомендуется чтобы: нижняя обкладка выступала за край верхней не менее чем на 0,2 mm; диэлектрик выступал за край нижней обкладки не менее чем на 0,1 mm.
минимально допустимые размеры контактных площадок для навесных элементов составляют 0,4х0,4 mm (для припайки элементов) и 0,2х0,25 mm (для приварки элементов).
Примечания:
) В курсовой работе навесными элементами являются бескорпусные транзисторы и операционные усилители. Обозначения и структуры этих элементов показаны на рис. 8.
) На схемах все размеры указаны в миллиметрах.
Экранированная катушка индуктивности рабочая частота – 5 МГц; индуктивность - 20 мкГн
Катушка индуктивности является элементом радиоэлектронных средств,
функционирование которой определяется эффектом перехода энергии электрического поля
в энергию магнитного поля вследстви ...
Расчет силовой следящей автоматической системы регулирования
В настоящее время в приборостроении применяется
десятки тысяч различных типов систем автоматического регулирования (САР),
которые обеспечивают высокую эффективность производственных проц ...
Электронный усилитель
Оконечный каскад.
Выходная мощность в техническом задании равна 10 Вт, поэтому в качестве
выходного каскада выберем двухтактный каскад. Так как сопротивление нагрузки 8
Ом (меньше 100 ...
Copyright © 2008 - 2020 www.techmatch.ru