Исследование зависимости барьерной емкости(Сб) от Uобр.

.1 Определим барьерную емкость p-n-перехода

Согласно формуле 3.1:

где S - площадь p-n перехода;

e - диэлектрическая проницаемость, e =16;

eo - диэлектрическая проницаемость вакуума, eo =8.86* 10-9 ;

jк- контактная разность потенциалов;

Uобр- приложенное напряжение.

Согласно заданию Uобр=0,4Uпроб

Из формулы (3.2) Uпроб соответственно равно Uпроб.=86ρб 0.64 (для p±n)

Из формулы 3.3 сопротивление базы равно:

Отсюда:

ρб= Ом*см

Вычислим Uпроб :

Uпроб. =86*1.5430.64=113.515 В

Исследование барьерной емкости проводим при Uобр=1…20 В

Результаты вычислений приведены в таблице 5.1. Зависимость в виде графика приведена на рис. 5.1

Uобр,В

1

4

6

9

11

14

16

18

20

Сб,Ф

0.619

0.379

0.318

0.265

0.242

0.216

0.203

0.191

0.182

Рисунок 5.1. - Зависимость барьерной емкости Сб от Uобр

Прочтите также:

Цифровой термометр на микропроцессоре AVR-MEGA 128
Микроконтроллеры (МК) являються серцем многих современных устройств и приборов. Самой главной особенностью МК, с точки зрения конструктора-проектировщика, является то, что с их помощ ...

Технология получения монокристаллического InSb p-типа
На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронно ...

Технология сборки и монтажа блока питания
Под производственным процессом понимают совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонт выпускаемых изделий. Произв ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru