Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей

Модель диффузионной длины неосновных носителей определяется выражением:

где D – коэффициент диффузии

t - время жизни носителей.

Эмиттер

База

Т°,К

N/5

N

5N

N/5

N

5N

2×1017

1×1018

5×1018

4×1014

2×1015

1×1016

300

Lнеосн, см

4,18×10-4

1,61×10-4

5,57×10-5

8,42×10-3

3,54×10-3

1,4×10-3

400

3,3×10-4

1,27×10-4

4,39×10-5

8,89×10-3

3,49×10-3

1,18×10-3

500

2,83×10-4

1,06×10-4

3,65×10-5

7,45×10-3

3,24×10-3

1,23×10-3

Если Lнеосн (Б) > L(Б), то диод с короткой базой.

Если Lнеосн (Б) < L(Б), то диод с длиной базой.

В нашем варианте рассматривается диод с короткой базой т.к.

Lнеосн (Б) = 3,54×10-5м, L(Б)=1×10-5м, Lнеосн (Б) > L(Б)).

Lнеосн (Э), см

Ge

1,609×10-4

Si

5,913×10-5

При смене типа материала с Ge на Si диффузионная длинна неосновных носителей в эмиттере уменьшается.

При увеличении сечения захвата на 1% (при фиксированных N и Т=300°К) диффузионная длина неосновных носителей в базе уменьшается на 0,56%.

Чем меньше примесей и дефектов в полупроводнике, тем больше время жизни носителей, и соответственно диффузионная длина этих носителей.

Прочтите также:

Расчет структурной схемы установки по перегонке мазута на вакуумной трубчатке установки АВТ
Надежностью называют свойство объекта сохранять во времени в установленных пределах значения всех параметров, характеризующих способность выполнять требуемые функции в заданных режимах ...

Исследование алгоритмов скремблирования данных
Нaблюдaемое в последнее время прогрессирующее влияние информaционных технологий прaктически на все сферы жизнедеятельности человечества вызывает поступательный рост требований к т ...

Цифровой измеритель разности двух напряжений
По сути необходимо разработать устройство, преобразующее аналоговый сигнал в, эквивалентный ему, цифровой код. Т.е. замены сигнала серией импульсов за некоторое определенное время. Та ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru