Исследование модели толщины ОПЗ

Модель толщины ОПЗ описывается выражением:

NA и ND – концентрация ионизированных атомов

φК – контактная разность потенциалов.

Т°,К

N/5

N

5N

300

W, мкМ

1,076

0,540

0,266

350

0,945

0,499

0,253

400

0,770

0,453

0,239

Зависимость положения границ ОПЗ

а) в зависимость от концентраций в Б и Э при Т=300°К

б) в зависимости от температуры при фиксированном N.

W, мкМ

Ge

0,540

Si

0,726

При смене типа материала с Ge на Si толщина ОПЗ увеличивается.

Зависимость толщины ОПЗ при Т=300°К от U при прямом и обратном смещениях напряжения на диоде.

U, В

N/5

N

5N

Прямое

0,1

0,892

0,468

0,237

0,15

0,783

0,428

0,221

0,2

0,656

0,383

0,204

0,25

0,499

0,332

0,185

0,3

0,260

0,272

0,164

Обратное

-5

4,395

1,981

0,893

-10

6,122

2,749

1,234

-20

8,590

3,850

1,725

-30

10,493

4,699

2,104

-40

12,101

5,417

2,425

Толщина ОПЗ при увеличении температуры уменьшается незначительно.

Снижение высоты потенциального барьера при U>0 позволяет основным носителям пересекать область перехода, при этом они становятся неосновными носителями, создавая заметный ток (при ­Uпр, W¯). При U<0 эффекты диффузии более ощутимы, чем эффекты дрейфа (при ­Uобр, W­).

Прочтите также:

Автоматизация безбашенной водокачки
Актуальность: Водоснабжение в сельском хозяйстве имеет очень большое значение при производстве продукции животноводства, птицеводства и растениеводства. На животноводческих фермах еж ...

Усилитель мощности звуковой частоты для автомагнитолы
В настоящее время в технике повсеместно используются разнообразные усилительные устройства. Куда мы не посмотрим - усилители повсюду окружают нас. В каждом радиоприёмнике, в каждом телев ...

Устройства преобразования и обработки информации в системах подвижной радиосвязи
Цифровое представление речевого колебания, как следует из названия основано на сохранении формы колебания в процессе дискретизации и квантования. Способы представления речевого сигнала ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru