Исследование влияния процессов пробоя на вид ВАХ

Уточненная модель обратной ветви ВАХ диода с учетом процессов пробоя:

IB0 – насыщенный ток пробоя

UB – напряжение пробоя

φТ – тепловой потенциал

Зависимость пробивного напряжения от:

(для плоского перехода)

а) тип материала (при NБ=2×1015см-3)

Материал

Ge

Si

Uпр, В

95,368

206,118

б) от концентрации легирующей примеси (для Ge)

NБ, см-3

4×1014

2×1015

1×1016

Uпр, В

318,882

95,368

28,522

Диапазоны токов, при которых начинают проявляться эффекты пробоя:

Ge Iобр = 0,1¸0,25 А

Si Iобр = 1¸1,15 А

График обратных ветвей ВАХ с учетом процессов пробоя:

Плоский p-n переход

Цилиндрический p-n переход

Сферический p-n переход

При больших значениях Uобр ток Iобр незначительно возрастет до тех пор, пока напряжение не достигнет так называемого напряжения пробоя Uпр. после этого ток Iобр возрастет скачкообразно.

Известные различные механизмы пробоя – тепловая нестабильность, туннельный эффект (явление Зенера) и лавинный пробой.

Именно лавинный пробой является наиболее важным, т.к. именно он обуславливает верхнюю границу напряжения на диоде.

Прочтите также:

Усилители звуковых частот
Усилительные устройства актуальны были всегда. И в нынешнем, современном мире они все также находят достойное место среди другой аппаратуры. Усилители широкополосные, импульсные, осцилло ...

Накапливающий сумматор
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Цифровые методы и цифровые ...

Модернизация блока управления аппарата искусственной вентиляции легких Спирон–201
Аппарат искусственной вентиляции легких «Спирон-201» предназначен для проведения искусственной вентиляции легких у взрослых при реанимации и интенсивной терапии и эксплуатируется в услов ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru