Расчет элементов входного каскада

Выбор рабочей точки транзистора

Выбор рабочей точки А транзистора в режиме покоя, когда входной сигнал отсутствует, сводится к выбору тока коллектора IкА и напряжения UкэA в первоначальном предположении Rэ= 0. т.е. при заземленном эмиттере.

Точку покоя выберем исходя из заданных значений амплитуды напряжения на коллекторе UНМ и тока коллектора IНМ, которые по заданным значениям UН и IН определяются как UНМ=UН = 0.11 [В] и IНМ=IН.= 0.00012 [А].

Определим вид транзистора:

PК= UНМ IНМ =0.013 [мВт], транзистор малой мощности

Определим напряжение UКЭА из выражения:

=2.61 [В], (для транзисторов малой мощности UЗАП = (1¸2.5) [В])

где KЗ–коэффициент запаса равный (0.7¸0.95)

ЕП=2UКЭА=5.22 [B]

Сопротивление RK находим как:

Сопротивление RЭ вычисляется:

Считаем, что на вход подается какой-либо переменный сигнал, тогда для переменного сигнала параллельно включается . Для переменного сигнала будет идти по какой-либо другой динамической линии нагрузки. Она будет обязательно проходить через А. Поэтому строим динамическую линию нагрузки.

Через точку А проводим линию динамической нагрузки, под углом .

; ;

где KM=10000 масштабный коэффициент

Выбирая значения EП из стандартного ряда, тем самым изменяя положение динамической линии нагрузки, проверяем условие. В нашем случае условие выполнилось при EП=6.3 [B].

Расчет элементов фиксации рабочей точки

Фиксация рабочей точки A каскада на биполярном транзисторе (рис. 1) осуществляется резистивным делителем R1, R2. Выберем такой транзистор, у которого и . В данном случае таким транзистором может быть транзистор КТ209A.

Из положения рабочей точки и выходных характеристик транзистора, рассчитаем величину дифференциального коэффициента передачи тока базы b:

где DIК,DIБ – окрестность рабочей точки А

Найдем ток IБА:

По входным характеристикам транзистора определим величину UБЭА =0,55 [B]

Так же из входной характеристики находим входное дифференциальное сопротивление транзистора h11Э:

Рассчитаем величину по следующему эмпирическому соотношению: , где - тепловой ток коллекторного перехода, заданный в справочнике при температуре t0; А = 2,5 для кремниевых транзисторов. вычислим как , выберем .

Перейти на страницу: 1 2

Прочтите также:

Устройство сбора информации
Ушедший век, а с ним и тысячелетие, ознаменован величайшими достижениями человечества в области совершенствования орудий труда. Небезуспешным творением человека стало изобретение компью ...

Накапливающий сумматор
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Цифровые методы и цифровые ...

Расчет параметров кремниевого диода
В формировании будущего специалиста по электронной технике наряду с фундаментальными дисциплинами значительная роль принадлежит курсу ‘Твердотельные приборы и устройства’. Он дает возмож ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2020 www.techmatch.ru