Расчет выходного каскада

Его основные параметры:

Постоянный ток коллектора, Iкмах= 1,5 А

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, Uкэмах=40 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 10 Вт

Рисунок 5

Рисунок 6

Используя входные и выходные характеристики транзистора, построим проходную характеристику по формуле:

Полученные результаты внесены в таблицу 1.

Таблица 1.

h21э

74,5

75

75

71

73

72

Iб, мА

0,5

0,53

0,66

0,81

0,95

1,12

Iк, мА

38,2

40

50

60

70

80,8

Uбэ, В

0,7

0,705

0,715

0,725

0,74

0,76

Рисунок 7

С помощью метода пяти ординат, рассчитаем нелинейные искажения, вносимые предоконечным каскадом:

IК max=80,8 мА; IК min=38,2 мА; I1=73 мА; I0=64 мА; I2=50 мА.

Найдем коэффициенты гармоник:

; ; .

Рассчитаем коэффициент нелинейных искажений:

По техническому заданию =1,5%. Чтобы уменьшить нелинейные искажения необходимо ввести отрицательную обратную связь, которая снизит коэффициент нелинейных искажений в глубину обратной связи (А):

Найдем глубину обратной связи:

До введения обратной связи:

где Uвых– напряжение на выходе предоконечного каскада, Uвх– напряжение на входе предоконечного каскада;

Uвх= UБЭ max-UБЭ min

Uвх =0,76-0,7=0,06 В.

Коэффициент усиления обратной связи:

;

где δ – коэффициент передачи обратной связи.

Так как δ·Ku>>1, то

Рассчитаем сопротивление нагрузки по переменному току для предоконечного каскада:

где RВХ.ОС– входное сопротивление оконечного каскада.

Находим сопротивление обратной связи:

По линейке номиналов подбираем R14=12 Ом.

Пересчитаем глубину обратной связи и коэффициент усиления с учетом полученного значения R14

Так как необходимо получить Kuос=5,1 увеличим глубину обратной связи

Произведем расчет с учетом новой глубины обратной связи:

По линейке номиналов подбираем R14=47 Ом

Найдем напряжение на входе предоконечного каскада:

На транзисторе VT4 и на сопротивлении обратной связи происходит падение напряжение:

UБ0=UБЭ0+UR14 ;

UR14=IЭ0·R14 ;

Перейти на страницу: 1 2 3

Прочтите также:

Фильтр верхних частот Баттерворта
До недавнего времени результаты сопоставления цифровых и аналоговых устройств в радиоаппаратуре и технических средствах электросвязи не могли не вызывать чувства неудовлетворённости. Циф ...

Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем
Технология изготовления интегральных микросхем представляет собой совокупность механических, физических, химических способов обработки различных материалов (полупроводников, диэлек ...

Техническая характеристика деятельности кинотеатра Родео Драйв
Описание основных характеристик и общих данных кинотеатра ОАО «ЭПОС» ООО «Синемасет» Кронверк Синема кинотеатр «Родео Драйв», пр. Культуры д.1 ТРК «Родео Драйв». Директор Коньков Е.В. ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2019 www.techmatch.ru