Строение ГЭС КРТ.

Рис. 14 Строение ГЭС КРТ.

1-Подложка из монокристаллического арсенида галлия;

2-Буферный слой Cd Zn Te;

3-Варизонный слой CdxHg1-xTe x=1->0,215;

4-Рабочий слой CdxHg1-xTe x=0,215±0,005;

5-Варизонный слой CdxHg1-xTe x=0,215->0,3–0,35.

Толщины слоёв должны находится в пределах:

Буферный слой CdZnTe 2 – 8 мкм,

Нижний варизонный слой 0,5 – 1,5 мкм,

Рабочий слой 5 – 7 мкм,

Верхний варизонный слой 0,1 – 0,5 мкм.

Отклонение толщины слоёв по образцу не более 10% от среднего значения. Суммарная толщина ГЭС при диаметре 51 мм – 0,4 мм ± 10%, при диаметре 76 мм – 0,5 мм ± 10%.

Важнейший параметр, характеризующий совершенство слоёв и их пригодность к разработке и выпуску фоторезисторов – время жизни неравновесных носителей заряда достигло (2 – 2,5)*10-6 с. Такие значения времени жизни наблюдаются в высококачественных ОМ КРТ.

Прочтите также:

Автоматизация безбашенной водокачки
Актуальность: Водоснабжение в сельском хозяйстве имеет очень большое значение при производстве продукции животноводства, птицеводства и растениеводства. На животноводческих фермах еж ...

Разработка имитатора сигналов для электрокардиографов
Биоэлектрические процессы в организме являются источником диагностической информации о состоянии и деятельности тканей и органов. Регистрация потенциалов, возникающих ...

Разработка генератора последовательности двоичных слов
Развитие вычислительной техники базируется на совершенствовании программных средств и разработке новых схемно-технологических принципов построения элементной базы цифровых микроэлек ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru