Функциональные устройства телекоммуникаций

Исходные данные (Вариант №4):

Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.

Выберем тип транзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя fВ

Еп=9В; I0K=12 мА; fВ=10кГц

Возьмем низкочастотный транзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавной транзистор p-n-p типа.

Выпишем его основные параметры из справочника [3]:

Рассчитаем параметры малосигнальной модели биполярного транзистора [1].

Среднее значение коэффициента передачи тока равно:

(1.1)

h21Э=33,2.

Выходная проводимость определяется как

(1.2)

h22Э=1,2*10-4 См.

Здесь UA— напряжение Эрли, равное 70 . 150 В у транзисторов типа р-n-р.

Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянного времени τК коллекторного перехода:

(1.3)

rБ=100 Ом

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(1.4)

rБ’Э=74 Ом

где =2,2 Ом дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 В — температурный потенциал при Т= 300 К;

m=1 — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1 для германиевых транзисторов.

Входное сопротивление транзистора:

(1.5)

h11Э=174 Ом

Емкость эмиттерного перехода равна:

Прочтите также:

Усилители следящих систем
В курсовом проекте разрабатывается полупроводниковый усилитель для управления приводным двигателем следящей системы. Расчет усилителя начинается с оконечного каскада. Оконечный каск ...

Тонкопленочные резисторы
Зарождение и развитие микроэлектроники как нового научно-технического направления, обеспечивающего создание сложной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), непосредственно связаны с кризисной ...

Разработка генератора последовательности двоичных слов
Развитие вычислительной техники базируется на совершенствовании программных средств и разработке новых схемно-технологических принципов построения элементной базы цифровых микроэлек ...