Исходные данные (Вариант №4):
Еп, В |
9 |
I0K, мА |
12 |
U0КЭ, В |
4 |
EГ, мВ |
50 |
RГ, кОм |
0,6 |
fН, Гц |
120 |
fВ, кГц |
10 |
M, дБ |
1 |
tСМИН, оC |
0 |
tСМАКС, оC |
35 |
Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.
Выберем тип транзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя fВ
Еп=9В; I0K=12 мА; fВ=10кГц
Возьмем низкочастотный транзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавной транзистор p-n-p типа.
Выпишем его основные параметры из справочника [3]:
Параметры |
Режим измерения |
ГТ108А |
h21ЭМИН |
UКЭ=-5В; IЭ=1 мА; tС=20 оC |
20 |
h21ЭМАКС |
55 | |
СК, пФ |
UКБ=-5В; f=465 кГц |
50 |
τК, нс |
UКБ=-5В; f=465 кГц |
5 |
fh21Э, МГц |
UКЭ=-5В; IЭ=1 мА |
0,5 |
IКБО, мкА |
UКБ =-5В; tС=20 оC |
15 |
Рассчитаем параметры малосигнальной модели биполярного транзистора [1].
Среднее значение коэффициента передачи тока равно:
(1.1)
h21Э=33,2.
Выходная проводимость определяется как
(1.2)
h22Э=1,2*10-4 См.
Здесь UA— напряжение Эрли, равное 70 . 150 В у транзисторов типа р-n-р.
Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянного времени τК коллекторного перехода:
(1.3)
rБ=100 Ом
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:
(1.4)
rБ’Э=74 Ом
где =2,2 Ом дифференциальное сопротивление эмиттера;
0,026 В — температурный потенциал при Т= 300 К;
m=1 — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1 для германиевых транзисторов.
Входное сопротивление транзистора:
(1.5)
h11Э=174 Ом
Емкость эмиттерного перехода равна:
Усилители следящих систем
В курсовом проекте разрабатывается полупроводниковый усилитель для
управления приводным двигателем следящей системы.
Расчет усилителя начинается с оконечного каскада.
Оконечный каск ...
Тонкопленочные резисторы
Зарождение и развитие микроэлектроники как
нового научно-технического направления, обеспечивающего создание сложной радиоэлектронной
аппаратуры (РЭА), непосредственно связаны с кризисной ...
Разработка генератора последовательности двоичных слов
Развитие
вычислительной техники базируется на совершенствовании программных средств и
разработке новых схемно-технологических принципов построения элементной базы
цифровых микроэлек ...
Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru