Функциональные устройства телекоммуникаций

Eг=1мВ; fc=10кГц; Rг=1кОм; Rн=1кОм; Сн=100пФ; Ср2=10мкФ.

Принципиальная схема анализируемого каскада с подключенными к ней источником сигнала и нагрузкой имеет вид:

Рассчитаем режим работы транзисторов по постоянному току, пусть Еп=10 В.

Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке. Рассчитаем ток делителя в базовых цепях транзисторов:

(2.1)

Определить потенциалы баз транзисторов:

(2.2)

(2.3)

Найдем потенциалы эмиттеров транзисторов:

(2.5)

(2.6)

Напряжение U0БЭ выбирается в интервале 0.5 .0,7 В для кремниевых транзисторов, выберем U0БЭ=0,5В.

Рассчитаем ток в резисторе, подключенном к эмиттеру первого транзистора:

(2.7)

Рассчитаем ток коллектора в рабочей точке, для этого найдем сначала найдем среднее значение коэффициента передачи тока:

(2.8)

h21Э=69,

тогда:

(2.9)

(2.10)

Определим напряжение на коллекторе в рабочей точке:

(2.11)

(2.12)

По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов:

Выходная проводимость определяется как

(2.13)

h221=1,3*10-5 См, h222=1,2*10-5 См.

Здесь UA— напряжение Эрли, равное 100 . 200 В у транзисторов типа n-р-n. Примем UA=100В.

Предельная частота усиления транзистора по току определяется по единичной частоте усиления fТ:

(2.14)

Граничная частота fТ находится по формуле:

(2.15)

fТ1,2=1,5 ГГц;

=22 МГц.

Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянной времени τК коллекторного перехода транзистора, приводимой в справочниках:

(2.16)

rБ1,2=2,5 Ом.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(2.17)

rБ’Э1=2,2 кОм, rБ’Э2=2,2 кОм.

где дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 мВ — температурный потенциал при Т= 300 К;

m — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1.5 для кремниевых транзисторов.

rЭ1=31 Ом, rЭ2=31 Ом.

Емкость эмиттерного перехода равна:

(2.18)

СБ’Э1=3,4 пФ; СБ’Э2=3,3 пФ

Определим коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада, построенного по схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора VT2:

h112=rБ2+rБ’Э2=2,2 кОм (2.19)

Входное сопротивление каскада:

(2.20)

Выходное сопротивление каскада:

(2.21)

Сопротивление нагрузки каскада по переменному току:

(2.22)

Коэффициент передачи каскада по напряжению:

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Прочтите также:

Организация интеллектуальной сети в г. Кокшетау на базе платформы оборудования Alcatel S12
Концепция интеллектуальной сети является сегодня одной из определяющих концепций развития современных сетей связи. Интерес, проявляемый к ИС (интеллектуальная сеть), не случаен и основан ...

Электронный усилитель
Оконечный каскад. Выходная мощность в техническом задании равна 10 Вт, поэтому в качестве выходного каскада выберем двухтактный каскад. Так как сопротивление нагрузки 8 Ом (меньше 100 ...

Проектирование цифровых систем передачи PDH и SDH
Данная работа посвящена разработке цифровых систем передач двух поколений: ПЦИ и СЦИ. В первой части работы представлен проект цифровой системы передачи с плезиохронной цифровой иерархие ...

Основные разделы

Copyright © 2008 - 2021 www.techmatch.ru